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NXP Semiconductors
PESD1CAN
CAN bus ESD protection diode
10 4
P PP
(W)
10 3
10 2
006aaa257
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
0.4
001aaa193
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
20
C d
(pF)
16
12
006aaa258
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
8
4
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
0
0
5
10
15
20
25
? I PP
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESD1CAN_4
006aaa676
Fig 6. V-I characteristics for a bidirectional ESD
protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 15 February 2008
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